Abstract
鉻，鉬，鎢的六羰化合物與3-三級丁基-1,1,2,2- 四氟-1,2- 二矽-3- 環丁烯(1) 的反應，可生成含兩個金屬－矽σ鍵的金屬環化合物 (2-三級丁基-1,1,4,4- 四氟-1,4- 二矽-2- 丁烯) 金屬五羰化合物(Ⅰ)、(Ⅱ)、(Ⅲ)。當化合物(1) 過量時，中心金屬最大的鎢，尚可形成穩定的雙金屬環八配位化合物；而屬性較硬的鉻，卻趨向於氟轉移，加速化合物(1) 的二聚化；居中的鉬，則兼具兩者特性。以(Ⅰ)、(Ⅱ)、(Ⅲ)做為CVD 的先驅物，在Si(100) 基板上成長薄膜，表面測厚儀算出無載送氣體時，成長速率約10 /min ，當以氫氣做為載送氣體時，成長速率增加。AES 分析覆膜組成發現無氫氣時碳含量高，且沉積溫度降低，碳含量越高；加入氫氣當做載送氣體時，則覆膜內碳含量明顯降低。XPS 分析出金屬具金屬態與氧化態兩種，最表層的碳絕大部份是有機碳氫化合物，矽則主要存在著氧化態。XRD 顯示覆膜為非晶型。SEM 看出表面致密平坦，顆粒微細。材料工業上慣常沉積非矽或共沉積制備金屬矽化物薄膜，常需使用高能量電漿來游離矽烷或鹵化矽烷，做為矽的來源。而就我們對SiF 中間體的了解，利用其易進行的非均衡反應，既可單獨使用以制備純度極高的非晶矽，亦可共沉積得到組成均勻的金屬與矽混合覆膜。