Abstract
摘要 本論文主要研究一維過鍍金屬(鎢和鐵)氧化物及矽化鉻奈米線之合成鑑定與應用，利用奈米線本身的高表面積比及高深寬比所產生的獨特光性、電性及磁性質，探討當兩個維度為奈米尺寸結構下所延伸的奈米科學，最後研究其元件特性，探討其未來在產業應用上的優勢。 論文的第一部份主要探討氧化鎢(WO3)奈米線的形成機制及控制生長參數，並能藉由氨氣裂解製程，使氮參雜於奈米線中，發現氮參雜之奈米線具有優良的場發射性質及室溫下光致發光(PL)的特性，可將其製作成具有低阻值之奈米電子元件，並能成功將氧化鎢奈米線成長於四吋的矽基板上，這有助於結合既存的矽基工業和氧化鎢奈米線，實為一項新的突破技術。 再者，著重於氧化鐵(Fe2O3及Fe3O4)奈米線之奈米微結構分析;奈米尺度下磁訊號之分析，包括以高解析量子干涉儀(Superconducting Quantum Interference Device, SQUID)及電子全像術(ELECTRON HOLOGRAPHY)，探討其應用於未來奈米自旋電子元件及奈米磁記錄材料之可能性。 論文的最後討論殼盒狀鉻矽化物-矽奈米柱之複合結構，以金屬矽化物本身的高熔點、熱穩定性佳及低電阻之優良特性，將其和矽奈米線相結合，降低矽奈米線與元件電極間的接觸電阻，以利於未來使矽奈米線成為現今矽電子工業之主流。