Abstract
本文敘述針對硫化銦銅薄膜的研製，由對系統功能的要求及理論上的計算分析，而自行設計製作一適合的類似分子朿磊成長系統，並取銅銦二元素來做系統設計的校準工作。其中的要求包括有：保持上、下兩段溫度差在1 ℃，做溫度對蒸鍍速率的閞係的比較由厚度偵測器及量測儀器測得之厚度，得出比例常數；二段溫度精確控制蒸鍍速率的可行性，改變原料的量，觀察對蒸鍍厚度及均勻度的影響；劃出源瓶溫度與需功率的關係圖，實驗證明本設計有兩大特點；一為兩段溫度精確的控制蒸鍍速率的可性；一為原料的多寡對蒸鍍厚度及均勻度影響，在量測誤差範圍內，實驗數據顯示銅銦率可行性；一為原料的多寡對蒸鍍厚度及均勻度影響，在量測誤差範圍內，實驗數據顯示銅銦達到預期蒸鍍速率時分別約為1410 ℃與1090 ℃，源瓶所耗功率比理論值高，這是計算時無法正確估計瓶口的散熱速度所致；至於隔熱效果，很理想，銦源瓶高溫加熱時，由周圍放出之熱，不致於對鄰近源瓶的工作造成影響。