Abstract
砷化鎵鋁（AlvGal-vAt）有許多的用途如作發光二極體（Light Emitting Diode）、雷射二極體（Laser Diode ）、太陽能電池（Solar Cells ）光電元件的材料。用液相磊晶（Liquid Phase Epitaxy）的方法所成長的砷化鎵鋁磊晶層，由於純度、表面的形狀及厚度都能達到所需要的水準，其所製成之光電元件特性亦非常優良，元件之組成及厚度隨用途而異，精確控制磊晶層的組成和厚度便非常重要，也是本論文所要研究的內容和目的。論文綜合熱力平衡、連線（tie-line）的觀念及擴散模式建立一套計算程序，該計算程序主要分為兩個部份，第一部份是在特定成長溫度下由欲製元件的發光波長及晶層厚度計算出須配製的溶液組成及成長時間；第二部份探討鋁、鎵和砷化鎵在稱量上的誤差對晶層組成及厚度的影響程度。結果顯示在配製溶液時，溶液中鋁的誤差所造成固相晶層的組成及厚度的變化最大，變化程度是隨著原先預定成長的晶層中鋁含量的增加而減小，砷濃度變化的影響在組成上是隨著原先預定成長的晶層中鋁含量的增加先減小再增大，厚度上呈現不規則的變化情形。鎵濃度變化的影響甚小，可以忽略。