Abstract
本篇論文的研究主題為決定三族氮化物異質接面之本質能帶排列，排除自發極化場與壓電極化場之影響，使用同步幅射光電子顯微/能譜技術，決定出三族氮化物異質接面之本質價帶能差(ΔEv)和能帶結構。 利用電漿輔助式分子束磊晶系統(PA-MBE)成長出烏采結構之三族氮化物半導體之異質接面磊晶-氮化銦/氮化鎵/氮化鋁奈米柱陣列，使用光電子顯微/能譜術(SPEM/S)對其作截面微區探測，量測沿c軸垂直對齊的異質接面奈米柱陣列之劈裂面，幾何上為非極性面，故可排除自發極化場之影響；且經X光繞射分析(XRD)可知三族氮化物因低維度之關係能良好地釋放應力，異質接面奈米柱陣列近乎於無應力，排除了壓電極化場的影響。綜合兩者之結果，我們量測可得三族氮化物半導體之異質接面的本質價帶能差(ΔEv) 與本質能帶結構，氮化銦/氮化鎵、氮化鎵/氮化鋁和氮化銦/氮化鋁之異質接面價帶能差(ΔEv)分別為0.8狰0.1 eV、0.6狰0.1 eV 和1.4狰0.1 eV，吻合先前對三族氮化物異質接面薄膜的量測結果，並且遵守傳遞規則，此三族氮化物異質接面屬type-I異質接面。 此外，我們同時成長出三族氮化物奈米柱陣列，使用光電子能譜術(PES)確認其核帶到價帶之束縛能差值，對照已知的三族氮化物薄膜，證實核帶到價帶差值(ECL-EV)為一本質常數，使得我們對三族氮化物異質接面奈米柱陣列之本質價帶能差(ΔEv)的量測結果更具可信度。