Abstract
本研究為改善傳統微放電加工無法即時根據不同的放電狀態，進行有效放電時間與不良放電時間的控制或抑制，開發了三準位-線上鑑別-能量控制放電加工系統。此系統可達到下列三種能力：（1）除了可即時正確鑑別波形狀態外，還可以有（2）控制火花放電（Spark）有效放電時間，其範圍從6.4 μs到100 μs；（3）抑制不良放電(Arc和Short)對工件的破壞，最短可抑制到4 μs。其設計程序先以三準位線上鑑別方式，即時鑑別出Open、Spark、Arc、Short各種放電狀態，再針對所鑑別出的狀態進行有效放電時間的控制或不良放電的抑制。為證明系統的正確性，本研究設計出一套可模擬放電電壓與電流波形的測試系統進行測試，結果顯示本系統可即時正確鑑別波形狀態，並可準確的控制有效放電時間及抑制不良放電時間。藉著整合（1）本研究三準位-線上鑑別-能量控制系統；（2）間隙控制器與（3）本實驗室開發的無中斷電極進給機構三者，作為研究平台，進行Silicon Wafer工件的加工研究，所得結果顯示：（1）單發Spark放電實驗時，發現放電能量愈大者，放電加工點的直徑愈大。（2）多發放電加工實驗顯示單發能量及總能量低者加工深度效率（μm/mJ）較高，總能量較高者，加工深度效率大幅下降，推測係因排渣問題引起。