Abstract
隨著超大型積體電路製造技術日益進步，元件尺寸越來越小，接觸的面積也隨之變小，這導致接觸電阻變大，進而影響元件的特性。為了降低接觸電阻，我們應用矽化鈦當做接觸的材料，因為在所有金屬矽化物中，矽化鈦擁有最低的電阻率。本論文的主要目的是研究矽化鈦接觸在大電流密度下的可靠性，並探討其原因。本實驗□，接觸電阻的量測是經由交叉橋式Kelvin接觸電阻測試結構。而P-N接面形成的方法共使用兩種方法：(1)離子植入穿透金屬法；(2) 矽化金屬擴散源法。從接觸電阻的量測比較兩種方法對矽化鈦接觸的影響。至於矽化鈦接觸的可靠性測試，主要是針對0.5*0.5微米平方大小的接觸做電性耐壓測試以觀測接觸電阻如何隨著時間而改變。實驗結果顯示由離子植入穿透金屬法所得到的特別接觸電阻率低於矽化金屬擴散法所得到的。而可靠性測試結果顯示矽化鈦接觸在大電流密度下結構可能已經改變，導致接觸電阻隨著時間增加而變大，甚至會發生接觸開路的現象；探討其可能的原因包括了電子漂移和焦耳加熱兩種效應，至於真正的原因還需進一步確定。這篇論文初步建立了矽化鈦接觸可靠性測試的方法，可以做為本實驗室進一步研究的基礎。本篇論文共分五章第一章為簡介，第二章為矽化鈦形成與接觸電阻量測的方法，第三章是實驗，第四章是結果與討論，第五章是結論。