Abstract
本論文中，我們以不同溫度（230℃及520℃）成長之砷化鎵及砷化鋁濕氧化薄膜（Al2O3）做為假晶高電子遷移率電晶體的緩衝層，探討其絕緣的特性，並對假晶高電子遷移率電晶體的製程及量測技術作一研究。我們已成功的發展出以AZ5214E影像反轉光阻完成假晶高電子遷移率電晶體之製作技術。在AZ5214E光阻製程中，我們可以得到最小線寬為1.8微米之閘極。而於歐姆接觸製程中，我們以360℃，30秒之快速熱退火條件，成功的得到一最低接觸電阻為0.286 Ω- mm。此外，我們以NH4OH:H2O2:H2O（4：1：2000）做為閘極掘入之濕蝕刻溶液，雖然其具低的蝕刻速率，但由於其對於GaAs/ AlGaAs蝕刻之選擇比低，故易造成過度蝕刻n+- AlGaAs，而不利於閘極製作。我們所製作之假晶高電子遷移率電晶體，其電子移動率為28500 cm2/ v-s、電子濃度2.39E12 cm-2都較傳統高電子遷移率電晶體高，且其直流特性最大轉導值131.4 mS/ mm也較傳統高電子遷移率電晶體之最大轉導值105.4 mS/ mm大。而在緩衝層絕緣能力之評估方面，以低溫（230℃）成長砷化鎵做為緩衝層之樣品，其所能承受之最大電壓為40V，相對電流為1.91 nA遠比一般溫度（520℃）成長砷化鎵之樣品更能承受大電壓，且具低漏電。