Abstract
本篇是計算在絕緣體及半導體間不規則界面的二個模型所引起之次能帶吸收光譜，若將所有可能之表面電子遷移動量都包括在內，則其光譜線會有加寬之現象，同時計算了不同半徑的圓盤模型之光譜，對於晶格模型、加寬效應在晶格單位為一九八○埃時最為顯著，在此情形已計算達一六八個表面電子遷移動量。
- Title
- 不規則表面對次能帶共振光譜線之加寬效應
- Translated title
- 不規則表面對次能帶共振光譜線之加寬效應
- Creators
- 吳天鳴 (Author)
- Contributors
- 王守益 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English