Abstract
摘 要本研究主要是針對日本ETL硫酸錳球浴系統，與核研所之硫酸錳球浴系統，使用蒙地卡羅程式MCNP及ENDF╱B–Ⅴ與ENDF╱B–Ⅵ 點截面庫，進行中子洩漏（L）、快中子被氧、硫吸收（O）和中子射源自吸收（S）三項修正因數以及共振捕獲參數Grs之計算，以驗證採角分格座標之決定論法ANISN程式一維計算之結果，並比較在不同截面與計算方法下所得結果之差異性。建立好的計算能力及結果分析將來可用於與實驗部份相配合，以實際從事核研所硫酸錳球浴系統中子射源強度校正工作。不論是日本ETL硫酸錳球浴系統或核研所之硫酸錳球浴系統，以ENDF╱B–Ⅴ與ENDF╱B–Ⅵ 點截面，執行MCNP程式所得之L值、S值相近，O值則因為16O的(n,a)反應之吸收截面ENDF / B-Ⅴ的 比 ENDF / B-Ⅵ 的小，而有20%之差距。整體修正因子(1-L)×(1-O)×(1-S)相差~0.1%(日本ETL)及0.01%(核研所)。以ENDF╱B–Ⅴ所得之Grs值大於ENDF╱B–Ⅵ的比值約為1.43，主要由於200eV至400eV之間Mn-55吸收截面之差異所致。MCNP用ENDF╱B–Ⅴ之計算結果與ANISN之計算結果比較，O值接近，S值比ANISN小(5%~17%)，L值比ANISN大(~30%)，Grs比ANISN小~6%(日本ETL) ，主要原因是使用的截面庫與計算方法不同。射源幾何模擬方式對L、O、S之影響很小，球形、圓柱形及逼近真實幾何之三種模擬方法求得之(1-L)×(1-O)×(1-S)整體修正因子相差在0.044﹪以下。射源幾何模擬方式對Grs值也幾乎沒有影響。