Abstract
RF( Radio Frequency )在半導體工業上是最常用的電漿源，目前最常用的是電感偶合電漿(ICP, Inductive Couple Plasma)、變壓器偶合電漿(TCP, Transformer Couple Plasma)它們能產生比傳統型電漿更高的電漿密度。 實驗所採用的電漿系統為ICP，但和一般ICP不同的是將感應偶合線圈置於真空腔內，這樣的方式能使感應偶合線圈更有效地和氣體作用，以射頻(RF, Radio Frequency)低瓦數產生更高密度的電漿；在低氣壓下(如：Ar: 0.2mTorr)，只須要入射功率10W，它就能輕易產生電漿；甚至在5E-5 Torr，真空腔大小為直徑25cm，高度50cm，在入射功率160W時，就能產生電漿，若感應偶合線圈在真空腔外，則須要更高入射功率才能點燃。這是由於感應偶合線圈於在真空腔內，比在真空腔外更易拘束電漿粒子，使能產生有效碰撞，電漿粒子比較不會碰撞腔壁損失能量。 為了產生更高密度的電漿源，實驗上使用二個鋁圈(外直徑12cm，內直徑串聯式11cm，厚3mm )相距 ，作為串聯式、並聯式線圈。量測串聯式、並聯式線圈發現，串聯式線圈的阻抗Zp較大，造成真空腔中的電壓降比並聯式大，RF電路元件消耗的能量較少，故同樣入射功率下，串聯式產生電漿更有效率。