Abstract
在此研究中，我們以金做為催化劑，利用兩階段式氣氛熱處理的方式對鍍有鈦膜之矽基板進行熱處理以成長二氧化鈦奈米帶。在微觀之結構分析方面，我們以穿透式電子顯微鏡選區繞射鑑定所成長之二氧化鈦奈米帶為金紅石相之單晶結構，在巨觀的結構鑑定方面我們也以拉曼光譜分析確定其結構與奈米帶在基板上分佈之均勻性。此外我們也以Photoluminescence Spectrum分析奈米帶之band structure，確定其價帶與傳導帶間之能隙為3.0eV。利用真空二極體之結構，我們測量出二氧化鈦奈米帶在矽基板上之場發射性質，並認為二氧化鈦奈米帶具有開發成場發射電子元件之潛力。另外我們依據數種不同條件下成長奈米帶之結果，以及穿透式電子顯微鏡與能量分散式光譜儀分析之結果推論其成長機制為VLS成長機制(Vapor-Liquid-Solid growth mechanism)。