Abstract
由於電阻式記憶體擁有高速率、低耗能、結構簡單化、高操作週期、並且擁有非破壞讀取及非揮發性等多項優勢，所以除了在特性上的突破與改進，在生產成本上亦有相當大的優勢，因此受到學術界及業界等眾多矚目，有機會成為下個世代記憶體的領航者。然而由於目前處於發展初期，對於電阻轉換效應的機制眾多紛紜，尚無定論，並且材料特性掌握不足，因此在現階段的研究為發展的關鍵。本論文主要探討二氧化鈦（TiO2）材料在單極電阻轉換上的現象。在室溫下以濺鍍方式鍍製薄膜，並以鉑（Pt）作為上下電極，形成Pt/TiO2/Pt 的結構。隨後改變退火溫度，改變其結晶性及原始阻態電阻，進而探討其差異性。此外除了一般常見的電流－電壓測量（I－V sweeping），本論文亦引入電流－時間（time evolution）在不同電壓下的變化，以及不同阻態下的介電量測，以探討電阻轉換行為，進一步證實燈絲理論（filament theory）的可能性。由於TiO2 材料並無電滯現象，因此本實驗試圖以缺氧方式，在通入純氬氣氛下，以TiO2 作為靶材，鍍製缺氧量較高的TiOx 薄膜，形成Pt/TiOx/Pt 結構。結果發現確實能夠提升其電滯效應，並且電滯效應的原因可能主要來自於薄膜內部的貢獻。