Abstract
本論文主要目的在探討“穩定化”二氧化鋯的基本特性，以為發展二氧化鋯氧化偵測器之基礎。實驗試片經混合、預燒、球磨、成型及1350℃燒結製成。以阿基米得法測量密度。利用Ｘ光繞射儀鑑定相的種類與含量。並以LCR 計量器測量阻抗對溫度、氧化壓及頻率的變化情形。用阻抗複數分析法，可得知晶粒、晶界及電極的電阻、電容值。並使用數位伏特計測量不同氣壓下的電位。結果證明在添加10％、15％、20％、30％莫耳氧化鈣的二氧化鋯系中，15％導電度最高，而添加10％、15％三氧化二釔中，則10％有較高導電度。兩者的活化能為1.36及0.91電子伏特。導電度不隨溫度（600℃至850℃）及氧分壓（1，0.209及10-6大氣壓）變化而改變，證明試片在上述範圍為離子導電體。阻抗分析中，晶粒導電度比晶界大約103 倍以上，而電極電阻隨氧分壓與溫度的增加而減少，證實與氣相的反應有關。Ｘ光繞射儀，發現“立方相”具有較高導電度，單斜相或鋯酸鈣則較差。以電子微探儀分析元素的組成分佈中，發現鋯元素在晶界處含量較少，可見得晶粒與晶界的組成不同，是造成導電度差異的一個原因。添加2 ％莫耳矽玻璃，造成密度提高2 ％，但是導電度降低了5 倍左右。