Abstract
本研究在散射中子源及橫向滲漏可以等向性近似的假設下，循序完成了二維直角座標介面流多項式節點遷移法之公式及其藕合係數之詳細推導。鑑於其與介面流節點擴散法之相似，吾人在不變更二維節點擴散程式(PND-XY)架構之前題下，完成了二維節點介面流遷移程式之撰寫工作。程式可藉由參數之設定，選擇執行擴散或遷移程式。本研究針對不同型式的問題，廣泛地測試此程式。結果顯示除題目五外，計算所得之有效增殖因數均相當準確；在中子通率之計算上，雖不及簡化球諧法準確，但比同一類型的程式，如DIF3D-NTT ，則略佳。由於題目五之測試結果並不理想，應考慮改進橫向滲漏之近似及做更多的測試。