Abstract
本研究在散射中子源及橫向滲漏可以等向性近似的假設下，循序完成了二維直角座標介面流多項式節點遷移法之公式及其藕合係數之詳細推導。鑑於其與介面流節點擴散法之相似，吾人在不變更二維節點擴散程式（PND-XY）架構之前題下，完成了二維節點介面流遷移程式之撰寫工作。程式可藉由參數之設定，選擇執行擴散或遷移程式。本研究針對不同型式的問題，廣泛地測試此程式。由程式測試的結果可以看出，除題目五外，本程式 (NTXY)計算所得之有效增殖因數均相當準確。在中子通率之計算上，雖不及簡化球諧法準確，但比同類型的程式如 DIF3D-NTT則略好。 在解遷移方程式上，本研究做了很多近似。雖然降低了遷移方程式之複雜性，但相對地限制了程式之適用性。由題目五之測試可知，當幾何形狀的不對稱性增大時，誤差也就加大。如何將種種假設與限制放寬，如將散射中子源由 P0 變成 PL 、橫向滲漏由 P0 改為 P1 以及節點內之通率用更高次的多項式展開等，以加強程式之適用性，將是後續此研究之課題。綜觀本研究成果，參考有限的文獻資料，根據節點遷移法理論推導詳細之公式，依循節點擴散程式PND-XY之架構完成了節點遷移程式NTXY之撰寫，並測試其準確度，已達到技術引進之目的。本研究所完成之程式，可做為國內未來進一步改進節點遷移法之基石。