Abstract
井型純鍺偵檢器由於其特殊的幾何配置,使其比一般 coxial 偵檢器有更高的效率,且純鍺偵檢器有很好的解析度,在進行微量分析時,射源活性偏低,此時,較高效率的井型偵器器不失為一可節省量測時間的良好分析工具.但與使用其量測時,射源與鍺晶體距離甚近,真耦合效應成為一必須考慮和修正的因素,所以欲使用井型純鍺偵檢器為量測與分析的工具前,峰效率的較正與真耦合效應的修正程序建立為兩項重要的前置工作,本篇論文即進行此兩項研究工作.(1)第一項工作,峰效率的效正,為應用射源與偵檢器間等效立體角與絕對峰效率間的關係,利用半實驗-半計算方法,以一自行撰寫之ESWELL程式計算出射源與偵檢器間的等效立體角,來計算不同體積之圓柱狀射源絕對峰效率之變化,並以一實驗來確認ESWELL程式的正確性與此半實驗-半計算峰效率校正法之適用性.此於論文第三章詳述.(2)第二項工作為真耦合效應修正之計算模式的建立.根據前人的研究,我們對點射源已有修正方法,而對體射源而言,我們需知道體射源的峰效率與總效率之體平均值和空間分佈情形.對於空間分佈的效應,我們以改寫的ESWELL程式計算而得,避免實驗求取之繁雜程序.我們並研究在井型偵檢器與所用之小體積射源的幾何情形下,是否可以忽略體效應(空間分佈效應),而以點射源的修正法取代.並以實驗確認所建立之真耦合效應修正之半實驗-半計算法之計算模式的正確性.此於論文第四章詳述.(3)論文中所用之基本理論與現象之解釋,在第二章文獻回顧中有詳細的說明.附錄中列出以FORTRAN程式語言撰寫之ESWELL程式,並說明其使用方法.