Abstract
多孔矽的發光特性一直是研究者最感興趣的地方，但目前多孔矽以 電激光方式 發光的效率受限於多孔矽的晶粒過大或導電性不佳使載子無 法有效的結合。而本次 研究則利用交流陽極氧化電流成長P+ type多孔矽 。一方面P+ type矽基板具有高導 電度；另一方面，交流電流製備多孔矽 的方式則能使P+ type多孔矽的晶粒縮小， 且隨著製備頻率的上昇，多 孔矽晶粒有越來越小的趨勢。綜合上述兩種結果，以交 流電流成長多孔 矽的方式在未來多孔矽電激光元件的研究上將有所助益。 此外，以交流電流成長多孔矽能使多孔矽內部矽原子的連接變得更散亂、 不規 則，隨著製備頻率的增加，此效應愈加明顯。