Abstract
藉由測量介電膜的臨界電場和漏電流, 用以了解 ONO (oxide/nitride/oxide)和polyoxide這兩種不同介電膜的導電性質。此導電性與它介面的粗糙度有關, 可由Fowler -Nordheim tunneling theory 來解釋。發現ONO有較大的臨介電場和較低的漏電流。試片的結構類似金屬平行電容器,然用polysilicon參雜適量的雜質濃度以取代平行金屬電板。加正偏壓在上面的電板上, 則電子由下方的電板注入, 發現ONO 和polyoxide均有electron trapped的現相,且trapped的位置:對ONO而言,約集中在nitride/bottom- oxide的介面處;對polyoxide而言,約集中在介電膜的中央。亦發現920□C退火30分鐘對trapped 的位置並無顯著的影響,然對trapped densities與崩潰電場有明顯的改良。由cross-sectional TEM的觀察,退火對介電膜介面粗糙度似乎沒有影響。