Abstract
本論文以 Al-0.5Cu / TiN (ATN) 和 Al-0.5Cu / TiN / Ti (ATNT)兩種 多層金屬結構作為連接線. 試片製作方面, 先以熱成長的方式, 成長長 5000 A 的氧化層, 再以反應式離子濺鍍的方式, 將多層金屬鍍在氧化 上 方, 之後利用化學溼式蝕刻, 定義出一微米線寬的連接線. 在最後的退火 處理上, 我們將試片分成兩組, 一組在 400C 30min 後, 直接將試片取 出, 降溫速率為 300C/min, 另一組為 400C 30min 後, 讓試片隨爐管一 起冷卻, 降溫速率約為 3C/min.在電性量測方面, ATN 結構的壽命比 ATNT 結構的壽命長, 由XRD 的分析, 得知 ATN 中的 Al 從優取向為 (111), 而 ATNT 中的 Al從優取向卻為 (220), 這是因為 Ti 與 SiO2 中 的 O 反應, 形成 TiO 所致. 從 TEM 的分析裡, 可知 Al2Cu 容易在 ATNT 的結構中形成, 這代表 Cu 在 ATNT 的試片中, 分佈較不平均. ATN 與 ATNT 兩結構, 由材料分析的結果可知, 無論是 Al (111) 從優取 向, 晶粒大小, Al2Cu 的多寡以及 Al 柱狀結構等等, 對於抵抗電遷移而 言, ATN 都較 ATNT 來得好. 此外, 由電性量測的數據顯示, ATN 的 命 都比 ATNT 的壽命長, 這與材料分析的結果不謀而合. 對於本論文所使用 的結構而言, ATN 抵抗電遷移的能力比 ATNT 強.本文分六章: 第一章緒 論; 第二章電遷移理論; 第三章量測原理; 第四章實驗; 第五章結果與討 論; 第六章結論.