Abstract
本研究嘗試以304不□鋼為基材沉積類鑽薄膜，所使用的方法(1)先鍍上一層中介層'含鈦的非晶質碳氫膜(Ti-C:H)'或 Si,再用射頻電漿化學氣相沉積法(RF PECVD),以CH4氣體為原料沉積類鑽薄膜,(2)用直流電漿化學氣相沉積法直接在不□鋼上沉積類鑽薄膜.關於中介層 Ti-C:H,本研究使用活化性濺射的方式,以Ti為靶材,Ar和CH4為原料,沉積Ti-C:H.藉著改變一些沉積參數,如Ar/CH4,反應室壓力,直流電壓沉積不同的Ti-C:H,以增加不□鋼,Ti-C:H和類鑽薄膜這三層附著力.另外亦嘗試以射頻濺鍍(RFSputtering)的方式鍍另一層中介層 Si. 薄膜性質測量包含硬度,SEM,薄膜成份.類鑽薄膜的製程為使用最廣泛的電容耦合式 RF PECVD,另外亦使用直流電漿沉積法.這些嘗試無法沉積出類鑽薄膜,不過含鈦的非晶質碳膜的確比類鑽薄膜具有較低的應力,可在不□鋼上形成附著力不錯的薄膜,氣壓越低Ti-C:H薄膜的性質越好.