Abstract
將ＢＦ□□離子以離子佈植法植入矽晶片內，佈植能量為１５０ＫｅＶ濃度１×１０□□平方公尺會產生一層約2500°Ａ厚之非晶型矽。其所產生的反應有?造成非晶型層?植入產生正型區域?氟原子亦伴隨植入晶片內。同時樣品晶片亦分別在400 ℃、500℃、700℃及1000℃不同溫度情況下予以退火測量其對各波長之吸收反應及開路電壓 Voc。我們可看到最佳效率。
- Title
- 以BF2﹢ 離子佈植研究非結晶與單晶太陽電池
- Translated title
- 以BF2﹢ 離子佈植研究非結晶與單晶太陽電池
- Creators
- 吳進步 (Author)
- Contributors
- 楊銀圳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English