Abstract
在此一研究中，我們發展了射頻磁控濺鍍與熱蒸鍍系統成長用於HgCdTe紅外光偵檢器的CdTe披覆層與ZnS抗反射層。我們探討不同鍍膜條件所鍍製出來薄膜的物性和電性。由X光繞射結果顯示所鍍出來的CdTe薄膜，同時具有立方晶與六方晶兩相，但主要以立方晶為主，且隨著鍍膜時間與溫度的增加，立方晶的含量隨著變多，並且具有強烈的立方晶[111]優選方向，而且CdTe薄膜的結晶性，包括優選方向性與立方晶和六方晶含量比例，受鍍膜前Si基板是否有經HF清理的影響很大。而濺鍍ZnS薄膜的性質與CdTe類似，一樣具有立方晶[111]優選方向，但蒸鍍出來的ZnS薄膜，則為非晶相。我們所得CdTe薄膜的最佳鍍膜條件為100W，4mTorr；而ZnS薄膜的最佳鍍膜條件為125W，8mTorr。在電性的探討，單層薄膜，不論CdTe還是ZnS薄膜，利用射頻磁控濺鍍法所得之薄膜，其漏電流性質均比利用熱蒸鍍法所鍍製之薄膜來的好。雙層結構ZnS/CdTe亦是兩層均為利用射頻磁控濺鍍法所得之薄膜，其漏電流性質最好，而漏電流性質主要是受表面出粗糙度與結晶性的影響。