Abstract
現行OC-192(10-Gbps)規格已屬成熟網路傳輸技術，並被廣泛使用於網路設備，而隨著頻寬需求量的增加，末端使用者對高速記憶體的需求更形重要。光學網路會(OIF, Optical Internetworking Forum)已經完成制定OC-768(40-Gbps)的規格[1]，是現在唯一的40-Gbps的標準規格。儘管OIF早在2002年就已發布OC-768的標準，但是在SONET網路介面中，其中的重要元件Physical Laser Modulator卻一直延宕到2007年七月分，才由Intel成功開發出來，40-Gbps的網路傳輸至此才終於得以實現。也因此IEEE乃開始著手於將40-Gbps與100-Gbps應用在乙太網路(Ethernet)上的準備，預計於2008的三月分開始，在2009年發布初稿，最後於2010年完成。 由此可知目前世界發展趨勢將需要更快速的儲存設備，因此我們針對此一需求而計畫設計出「超高速佇列」，可使用高達40-Gbps先進先出(FIFO)的方式儲存資料，並且擁有2Gbits的儲存容量。此一先進先出佇列，可用來模擬OC-768 40-Gbps SONET介面的雛形系統，然後在OC-768的連結層(Link Layer)中，我們再連接16組平行的SERDES(Serializer/ Deserializer)來傳輸資料至實體層(PHY Device)，以比對所傳資料是否正確無誤。 由於高速的儲存器(SRAM)通常造價昂貴且容量較小，而相對慢速的儲存器(DRAM)則便宜且容量較大，因此我們想結合兩種不同特性的儲存器，實作出比單一高速儲存器更快的儲存器，而其容量則達到原本的數十倍大。此外，資料還會依照到達時間先後順序排隊，達到先進先出的效果。在應用面，此一元件可被利用於如網路交換機等各種需要超高速儲存器的設備裡面。