Abstract
以液相磊晶技術在InP 基座上成長四元InGaAsP 磊晶層。磊晶層的晶格常數和發光波長受成長溫度影響的程度分別以實際磊晶成長及電腦模擬兩方面研討。實驗以In.92055 Ga.02 As.059 P.00045 溶液於步階降溫下成長磊晶。其晶格常數和發光波長分別以Ｘ射線繞射儀及光激發光譜分析之。電腦模擬結合相圖、質量守衡、固相組成晶格常數和發光波長等諸關係，可預估特定成長條件下所長出磊晶層的特性。模擬結果與實驗結果比較，誤差在±4 ％以內。目前波長為1.1μm和1.55μm 且與InP 晶格不匹配度在±0.2 ％內的磊晶層已被長出。