Abstract
銦錫氧化物廣被工業界使用的透明導電膜,具有低電阻,可見光區高透光率可達到90%以上,以及中紅外光區的高反射率等特性,所以應用很廣.氧化銦是其主體錫植入氧化銦主體中,所以銦錫氧化物中錫的含量只有5%,因此本研究找尋氧化銦成長條件,以便以後成長銦錫氧化物薄膜.本實驗分成兩個階段:第一階段是金屬錫薄膜的沈積,第二階段是氧化銦的沉積.第一階段以四甲基錫為原料沈積金屬錫薄膜,高週波能量進入反應腔的位置是在銅管第 7圈以後,才會使金屬錫薄膜沉積於D=10cm上的基板,但若是高週波能量位置在銅管的第7圈以前,則金屬錫薄膜會沉積於D=0cm附近.高週波輸入位置在第12圈至第15圈,FTMT =0.0166sccm,PoTEI=32.0mtorr和能量供應為40W時在D= 10cm處有結晶性較好的薄膜,結晶為(101)-preferredoriention,導電度為1100S/cm,其沉積速率為0.56A/sec第二階段為三乙基銦和氧氣合成氧化銦薄膜:在管線未熱以前,在D=20cm處,有兩種趨勢一為導電度隨著氧氣量增加而變低,另一種趨勢是導電度會隨著高週波的功率而變高.在管線加熱後導電度依然隨著氧氣量的增加變差,但導電度會隨著TEI的流量變大導電度較好的位置會移至 D=50cm處,沉積出的氧化銦薄膜由XRD圖譜得知沉積物是沒有結晶性,其結構為InxOy透明度為85%.