Abstract
本論文探討以Ru為底電極製作(Ta2O5)1-X (TiO2)X薄膜電容，其TiO2的添加對於薄膜電容介電常數的影響；還有比較在Si基板和底電極間加入不同阻絕層TaN/Ta、TiN/Ti、TiWN/TiW之薄膜電容在介電常數及漏電流上的差異。 本實驗是以射頻磁控濺鍍系統，在Si基板上鍍製Ru底電極(100nm)後，再以Ta靶或Ta、Ti合金靶通入氧作反應式濺鍍，在Ru上沉積Ta2O5或(Ta2O5)1-X (TiO2)X薄膜(100nm)，最後鍍上W上電極以形成MIM結構的電容；而結晶的介電薄膜則是在750oC氮氣氛下做快速熱退火處理30秒所得。 以Ru為底電極之(Ta2O5)1-X(TiO2)X薄膜，在x約為0.08時，介電常數為最高，未結晶的薄膜約36，結晶但不具(001)晶面優選方向的薄膜約67，具有(001) 晶面優選方向的薄膜可以達到80。 在以Ru/TaN/Ta/Si、Ru/TiN/Ti/Si及Ru/TiWN/TiW/Si為基板的(Ta2O5)1-X(TiO2)X薄膜中，在同樣的條件下，這三種基板間比較，發現介電常數以Ru/TiN/Ti/Si為基板的較高；在漏電流方面則以Ru/TiWN/TiW/Si的較好。