Abstract
化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）被廣泛用於成長固 體薄膜層，此法為一種氣體-固體異相化學反應程序。在本論文中以四異 丙烷氧化鈦（titanium tetraisopropoxide，TTIP）為反應物，經以化學 氣相沈積法將二氧化鈦（titania，TiO2）粒子沈積於基材上的程序. 從本研究中發現，對於二氧化鈦粒子的形態，主要是受溫度的影響，而改 變反應物濃度或氣體總流量時，其對粒子的形態影響並不大。 對於本系 統中粒子的沈積位置和形態有一定的模式，沈積於出入口處的粒子，皆為 圓粒狀；而於爐中心沈積的粒子，較低溫下形狀似米粒狀,較高溫下形狀 像樹林。米粒狀粒子是以表面反應主導生成，其附著力較 好；樹林狀粒 子是以氣相反應主導，生成粒子的附著力較差. 二氧化鈦粒子在高 溫700℃退火（annealing）後，只有銳鈦礦(anatase)晶相並無金紅石（ rutile）晶相。在二氧化鈦粒子平均粒徑方面，其模式皆為爐中沈積的粒 子最大，再者是入口處沈積的粒子，於出口處沈積的粒子最小。 最後針對由清華大學化工所周更生教授實驗室，所提供的多孔陶瓷( porous ceramics)材料鍍膜做表面改質的研討，發現當反應以表面反應為 主導下形成米粒狀粒子時，可有效將約 1μm的基材之孔洞縮小到約60nm 。