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以二次離子質譜術分析鋁合金樣品曝水後受光照射之作用
Thesis

以二次離子質譜術分析鋁合金樣品曝水後受光照射之作用

羅文彬
Masters, 國立清華大學, 生醫工程與環境科學系
2003

Abstract

光子引發釋氣 二次離子質譜分析 鋁合金樣品 水釋氣
本次實驗利用二次離子質譜術(SIMS)進行鋁合金樣品表面分析,藉以了解曝有大量水氣的旅合金表面受同步輻射光照射後的表面變化情形。在實驗系統方面,縮小曝水腔與分析腔之間的氣導,利用差分抽氣(differential pumping)的方法,縮短曝水至出光的時間,本次實驗已將時間從原先的13小時縮短至200分鐘以內。本實驗也更改了光束引出管前端的電極,在+800 V的偏壓下,可收集散亂的光電子達90%,以釐清光電子在真空腔壁可能造成的電子引發釋氣的干擾。從SIMS表面分析的結果顯示,照光後的表面水氣與氧化物含量都有增加的現象。

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