Abstract
本篇論文為研究以MoF6與SiF2/SiF4為前驅物來進行化學氣相沈積反應，其研究結果顯示，我們可以利用溫度條件的變化來控制MoF6與SiF2/SiF4之反應途徑，在石墨、矽和石英基材上得到金屬鉬(Mo)或矽化鉬(MoSi2)薄膜沉積。 當沉積溫度為≦300℃時，SiF2還原MoF6生成金屬鉬之沉積；提高溫度至500℃時，SiF2對MoF6進行插入反應，可得到六方堆積之MoSi2薄膜沉積。
- Title
- 以二氟化矽為還原劑之化學氣相沉積法 --- 金屬鉬及矽化鉬薄膜之製作
- Translated title
- 以二氟化矽為還原劑之化學氣相沉積法 --- 金屬鉬及矽化鉬薄膜之製作
- Creators
- 楊文忠
- Contributors
- 季昀 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 化學系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 化學系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2001