Abstract
二氟次矽基與四鹵化鍺之反應可生成各種比例之鍺含量的多晶及非晶質之矽鍺合金薄膜。薄膜組成之鍺含量的範圍介於 0?0.7之間，可利用四氟矽烷與四鹵化鍺之流量比以及反應溫度來控制，本實驗所使用之製程是目前以單一製程之化學氣相沈積法中所能得到最大範圍之鍺含量的方法。二氟次矽基與四氯化鍺之反應溫度高於 550℃時，沉積之薄膜具有結晶性。二氟次矽基與四氟化鍺之反應溫度高於 500℃時，沉積之薄膜具有結晶性。薄膜中之矽、鍺元素的分佈相當均勻，薄膜中的碳、氧、氟和氯等元素之含量很低。在二氟次矽基與四氯甲烷的反應所生成之薄膜中，可以得到不同比例的碳和矽，薄膜中之組成分佈相當均勻，氧、氯和氟之含量很低。薄膜之物理特性以掃描電子顯微鏡-能量散佈分光儀、電子微探儀、薄膜X-光繞射儀、化學分析電子能譜儀、歐傑電子能譜儀、掃描穿透式電子顯微鏡和拉曼光譜儀等儀器分析之。氣相之揮發性化合物以紅外線光譜儀、核磁共振光譜儀和氣相層析質譜儀等儀器分析之。二氟次矽基與四鹵化鍺及四氯甲烷之反應，其最大差異在於二氟次矽基與四鹵化鍺的反應過程中產生二鹵化鍺，其具有路易士鹼的性質，而使得其反應途徑與二氟次矽基和四氯化鍺之反應過程不同。