Abstract
對於復晶矽的性質，在以前文章里皆已研究過。本實驗是以化學氣相沉積法在低壓，低溫下成長復晶矽，再以積體電路制造技術制造復晶矽電陰的圖形，藉測量電陰的性質來探討內部傳導的機構，我們發現由實驗結果顯示出，各種因素皆對復晶矽有影響，只是看在那一雜質濃度區域而已，影響因素只對文章內所提及各種模型而言。
- Title
- 以低壓化學气相沈積法成長複晶矽的傳導性質
- Translated title
- 以低壓化學气相沈積法成長複晶矽的傳導性質
- Creators
- 鄭志雄 (Author)
- Contributors
- 黃瑞星楊銀圳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English