Abstract
本論文探討以兩階段快速熱處理(RTP)通N2O氣體來氧化氮化層對元件特性的影響，同時也對MNS元件的特性與薄膜厚度的依存性，做有系統地研究。由實驗結果顯示元件經過850℃/15sec做第一階段氧化，再以800℃/15sec進行第二次氧化處理後，其初始特性、抗熱電子及抗輻射特性表現極為突出。其中元件TR3(40A)的崩潰電場為9MV/cm屬於本質崩潰模式，而Qbd值約為33C/cm2大於SiO2甚多，顯示以兩階段快速熱處理後的Si3N4薄膜具有不錯的品質。此外在探討薄膜與厚度對元件的影響中，我們發現厚度為20埃的元件，經850℃做為第一階段氧化處理後，其初始特性、抗熱電子及抗輻射特性表現最好。其Ebd甚至高達34.05 MV/cm，文中並以穿透作用引發陷住電荷的解陷住作用(Detrapping)來說明特性改善的原因。