Abstract
低能電子繞射圖像上的繞射點在不同能量的電子束正向入射下有著強度上的變化關係可以找到強度對應能量的曲線，即LEED-I(E) curves。本文主要利用由矽(100)表面樣本所得到不同能量的低能電子繞射圖像，取出其LEED-I(E) curves以Patterson轉換法做轉換以得到三維原子相對座標的資訊，與由表面原子對(dimer)為對稱的Si(100)(2x1)原子結構模型的理論推測座標值做比對。由整數階的LEED-I(E) curves做轉換後的數據可以得到與矽原子結構模型深層的內部原子(bulk)相符合；而由分數階的LEED-I(E) curves做轉換後則可以看出矽表面結構的資訊，可以以此來探討Si(100)(2x1)結構上表面原子對(dimer)的對稱性，由於LEED過程是屬於一種長時間大範圍的平均過程所以不能看出表面原子對在室溫下因熱的作用產生輕微跳動(flip-flop)，所以預期可以看到表面原子對對稱的模型，而由Patterson轉換的實驗結果顯示表面原子對是對稱的與預期相符。 本文另外再以所得到的整數階的LEED-I(E) curves分別做Patterson轉換與Holography轉換並比較兩者的差異性，結果顯示了做Patterson轉換的數據可以很精確的與原子結構模型所得的理論值相符，而Holography轉換則否。