Abstract
在VLSI的製程中，因為金屬線愈來愈細，而通過異線的電流密度愈來愈高，所以成為可靠度上的最大限制，而電子遷移現象則是金屬線破壞的主因。 我們利用改變通過鋁釸（銅）金屬導線上的電流密度，然後量測低頻時的雜訊，以探討電子遷移效應對低頻雜訊的影響。 在150℃下，將測試樣通1×106 A/cm2的電流密度，然後每隔一段時間量測其雜訊頻譜，我們發現： (1)雜訊量測的電流密度有一臨界值。 (2)當電流密度大於此臨界電流密度時，雜訊頻譜會隨電流密度的增加而明顯的增加。 (3)只要在較低的加速條件下，我們就可以用雜訊測量法量測到電子遷移現象。而實驗上發現傳統量測的方法，像平均生命期量測和阻值改變的量測卻往往耗時費事。 根據上述理由，我們相信雜訊量測會取代傳統的量測而得到更多關於電子遷移現象所造成金屬破壞的資訊。目前很多學者專家，正努力去尋求雜訊頻譜和試樣生命期的關係。而我們若想得到更多有關電子遷移現象與金屬破壞的關係，則需在雜訊量測上做更多關於統計方面的工作。