Abstract
功率半導體元件是不可或缺的電子元件之一，其效益主要透過導通電阻與崩潰電壓進行比較。而崩潰電壓與電場分佈息息相關，適當的增加多維度電場有助於崩潰電壓的增加。 本篇論文改變光罩佈局產生多維度電場來改進崩潰電壓及導通電阻特性。使用的方法有多種，包括加入P型埋藏層與P型內部場環體、改變PN介面的摻雜幾何形狀、以及加入漂浮金屬接線等。 因應結構需要，本論文分別使用二維或三維模擬軟體分析元件特性，以得到更準確的結果。最後提出各元件結構效益比較。
- Title
- 以光罩佈局產生多維電場對半導體高壓元件的影響
- Translated title
- 以光罩佈局產生多維電場對半導體高壓元件的影響
- Creators
- 洪群佾
- Contributors
- 黃智方 (Advisor)龔正 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2010