Abstract
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)薄膜型太陽能電池以高效率聞名，並且在近幾年內已被廣泛的討論，其最高效率則是以硫化鎘(CdS)作為緩衝層。基於鎘對於環境以及人體都有不好的影響，無鎘緩衝層的研究也隨之而生，例如氧化鎂鋅 (Zn1-XMgXO)、硫化鋅 (ZnS)以及硫化銦 (InS)。本研究將採取共濺鍍的方式，並且著重於不同鎂摻雜來源(Mg, MgO)所鍍製出的氧化鎂鋅薄膜，對其薄膜性質以及應用在CIGS太陽能電池無鎘緩衝層的效率表現影響。 本研究將採用紫外-可見光譜、 X光繞射、X光光電子能譜儀、歐傑電子能譜儀、掃描式電子顯微鏡以及霍爾量測來分析其薄膜性質，並且使用光電流-電壓、暗電流電-電壓、電容-電壓以及外部量子效應來量測太陽能電池光電轉換效率表現。利用Mg靶材共鍍的薄膜其電阻率明顯較低，並且在太陽能電池表現上也較好。