Abstract
鑑於III-V 族複合物質，尤其是GaAs/GaAIAs 廣泛被應用在半導體材料上，其電子特性深受內含雜質的影響，傳統的分析方法如SIMS（Second-ary Ion MassSpectrosecopy ），AES（Auger Electron Spectroscopy）為破壞性的，且不夠精確，而非破壞性方法RBS（Rutherford Back-scattering Spectrometry）靈敏度又不夠，因此本實驗探討以原子核共振反應27AI（p,α）來精確測量Ga1-xAIx As 中的鋁含量的可能性。我們所用的是27AI（p,α）在1.183MeV的共振能潛，此反應的Q 值為1.6MeV，在實驗室角度為155 °上的α–粒子能量為2.14 MeV，入射質子的能量由1.183MeV增加到1.30 MeV左右，為了避免反射回來的質子信號因重疊而把反應產生的α–粒子信號蓋住。我們利用△E-E 符合方法作△E對E的三維能譜，來分別質子和α–粒子，△E 為E 為氣體游離偵測器，充有16mb的P-10氣體（90％Ar＋10％CH. ），其陽極電位為+340V ；柵極接地；陰極電位為-170V ，E 為矽表面勢壘偵測器，鋁的含量可由比較待測樣品的α產量和標準樣品的α產量，並根據理論計算得到。標準樣品為純鋁鍍在GaAs上，厚約0.65μm 。整個實驗過程中，入射質子電流強度約保持在130mA ，入射的總電量固定為50μC。我們分析了兩片Ga1-xAIx As 樣品：第一片的鋁含量x ＝0.136 ，厚1.24μm ；第二片為兩層結構，分別為x ＝0.096 、厚0.27μm ，以及x ＝0.236 、厚0.64μm 。