Abstract
在3*10^(-11) torr的超高真空之中，我們製造了新型的光陰極材料- O/Cs/(Na,K,Sb)/ p+ - Si(100)2X1， 並且以同步輻射光配合LEED研究其電子結構 。 前者以 Si 2p、Sb 4d、K 3p、Na 2p、Na 2s、Cs 4d、 與Cs 5p 之核電子能譜和70 eV的價帶能譜為主要研究對象。 實驗結果顯示中間層(Na,K,Sb)中的Sb是使能帶下彎的主要元素。 而具弱鍵結Na可使表面能障降低。 因此中間層(Na,K,Sb)使 O/Cs/(Na,K,Sb)/p+ -Si(100)2X1擁有較好的電子發射條件。 我們亦證實O-Cs 的活化過程在此光陰極材料中不限一次可重覆為之。雖然用較多量的氧會加強 Si-O、Sb-O 的鍵結，但是用量的多寡對NEA的結果不具決定性。