Abstract
在Ⅲ－V 族化合物半導體技術中，鋅是一種非常重要之P 型擴散雜質，由於砷在550℃以上的高蒸氣壓使得元件中的砷溢出，而嚴重影響元件之品質，為了防止砷之溢出，一般採用封管擴散法，但在製作光二極體時P 型層厚度並不大（約在2?3微米），因此擴散時間不需很長，故砷縱使跑出來，也不多，對於元件不會有太大之影響，故一般工廠生產均採半封管擴散法或開管擴散法。一種塗佈法的開管擴散已經用於製造電晶體，微波元件和光二極體，此法是用一種含矽的有機化合物以及Ⅱ，Ⅳ族元素的化合物作為雜質源的溶液塗佈的晶片上，送至開管爐擴散。本論文已將此法所製成之光二極體作了一系列之特性分析，俾提供一最佳化之擴散條件，此外值得一提的是此法提供了一種低成本生產光二極體的方法。