Abstract
本實驗旨在研究以多源蒸鍍方法，成長硫化銦銅薄膜，並以多種分析方法來分析所成長薄膜之特性，進而尋求以多源蒸鍍法製做硫化銦銅同質接面薄膜太陽電池之可能性。我們將現有之多源蒸鍍系統，做了一些修改以適合蒸鍍之需要，特別是在硫源瓶方面，除了改以不鏽鋼薄片做為鬲熱材料外，並再增加了一截做為延長分子路徑之用大大減少了硫四處濺灑的現象，溫度的控制也有所改進，但並非十分的好。實驗結果發現，單相多晶之硫化銦銅薄膜，可用多源蒸鍍製做出來，且P型及N型薄膜均可獲得，而所成長出來薄膜的移動率，不論是P型或N型，均較以雙源或單源蒸鍍，未經過再結晶程序的薄膜為高。而硫化銦銅與矽之異質接面顯出對光敏感的特性，因此，如果硫的溫度能夠進一步的加以控制的話，高效率硫化銦銅同質接面薄膜太陽電池將可被做出。