Abstract
本篇論文首先以容積法，來研究氧在AG/SiO□ 觸媒上的吸附行為。結果顯示，低溫時氧的吸附量隨溫度昇高而增加，但高於２００℃後，吸附量即隨昇溫度的上昇而減少。溫度在７５℃以前，氧的等溫曲線相當平滑，類似LANGMUIR形態的吸附曲線。溫度達１００℃後，等溫吸附曲線，已不平滑，類似反曲點的出現，預測另一種氧吸附態開始與銀作用，文獻研究結果，顯示這種氧吸附態，即為熔入次表層的氧。其次，我們以氧吸附法、氫－氧滴定法和X －射線繞射波分析法三種方法，來研究銀觸媒的最佳 燒條件，在氧氣流動下是否有再分散（REDISPERSION）的現象。結果顯示銀觸媒的最佳溫度是４００℃，昇溫速率為１０℃/MIN，所得觸媒分散度較佳。銀觸媒於不同溫度下的氧處理，並未發現再分散現象。