Abstract
本論文主要是在RF電漿濺鍍(RF-sputtering)系統下低溫（650℃以下）欲進行矽膜同質磊晶(homoepitaxial)，並以離子槍(ion gun)離子能量最低為100eV先行清潔表面，所沉積出的薄膜皆為非晶形態，並且再對此非晶薄膜進行850℃的固相(solid state)磊晶再結晶(regrowth)，經熱處理後，非晶矽膜皆形成複晶(polycrystalline)形態。因此，我們對薄膜內的雜質及基板的表面狀態做一深入的探討。 實驗結果顯示，薄膜內的氧含量與矽基板相差不多。而在界面處異於薄膜和基板的一層非晶結構與薄膜本身的鬆散結構可能是造成無法磊晶及固相磊晶的主因。