Abstract
本實驗以導電性原子力顯微術(conducting atomic force microscopy, CAFM)量測導電高分子MEH-PPV之奈米尺度電洞傳導特性，此技術可同時量測出表面形貌與電流影像，亦可定點量測電流對電壓的關係曲線。在電流影像中，我們得到的解析度約為20nm，我們發現有些位置電流高，有些位置電流低，我們判斷電流較高的地方有可能是分子鏈aggregation較強的位置，此電流影像亦可作為膜均勻度的指標。在定點I-V曲線中，我們以空間電荷限制電流(space-charge-limited current)理論分析，發現電洞遷移率比巨觀實驗結果大了兩個數量級左右，並且在遷移率對電場的Poole-Frenkle圖中，發現電場超過1.5 106 V/cm時，遷移率不再隨著電場增加，此臨界電場與理論計算出的偏極子(polaron)分離電場近似。從定點I-V曲線中，我們也發現第一次施加電壓時，其遷移率最大，繼續重覆量測，遷移率會降低，這是由於高分子有機發光二極體經過高電場(E＞106 V/cm)退火後，會使得遷移率減小的緣故。