Abstract
本實驗主要利用氮氣雷射為工具，來測量ａ－Ｓｉ：Ｈ的載子壽命。氮氣雷射由於其超短的脈波寬度（約360 ps），使得在測量短載子壽命特別有用。經測得加氫濺鍍的ａ－Ｓｉ：Ｈ樣品，其載子壽命由1.8μs至11μs 。為了區分容積和表面載子壽命的影響，特以染料雷射的黃光為光源，測得載子壽命僅有10％差別，比操作所造成的誤差可能還小。顯然表面效應的影響很小。又對於ａ－Ｓｉ：Ｈ中很重要的Geminaterecombination 君以觀測，可是由於電洞電子熱游離壽命僅數十 psec ，在實驗上也觀測不出。因而可推論最主要的影響是容積內的局限態作為複合中心（recombination center）。由於許多品質較差的樣品測不出光電導性衰減，可見此實驗設備適用於光電導度極佳的樣品，也就是低局限態的ａ－Ｓｉ：Ｈ。