Abstract
Ti/Si, Zr/Si, Hf/Si與Fe/Si四系統以快速熱退火所促成之磊晶成長結果已由電子顯微證實對Ti/Si 系統而言，最好的磊晶成長效果出現於1000℃，20秒，由近似臨場電子顯微鏡觀察證實：型Ⅰ與型Ⅱ分別在氣氛與真空退火下形成主要的原因，是由於退火氣氛所致。對Zr/Si 系統而言，二微米的磊晶可在1300℃，200 秒建火下生成。對HfSi2 磊晶而言，其方向關係共有六型，最好的三微米磊晶可在1300℃，300 秒下生成。對FeSi2 磊晶而言，可在1050℃，290 秒下生成平均七微米大小的磊晶。各種可能對磊晶生成有影響的因素均在討論之例。