Abstract
在一般的認知上， 掃描探針顯微鏡( SPM，Scanning Probe Microscopy )主要是作為量測表面的工具， 它可以量測表面形貌、表面電位、表面電流、表面電容、表面磁區分佈、表面摩擦力等。然而， 掃描探針顯微鏡除了量測以外，亦可製作奈米級的微結構。本篇論文主要是利用掃描探針顯微術奈米灰階微影以及乾式蝕刻製作矽微透鏡。其中，使用掃描探針灰階奈米微影可製作凸透鏡、凹透鏡、繞射式透鏡、以及任意形狀的結構，且直徑可以小至2 µm。另外，亦可利用控制電壓矩陣製作微透鏡陣列。使用此方法的優勢在於可製作非常小尺寸的氧化點遮罩( 尺度可小至10 nm )以及準確的定位。且由於是利用灰階電壓陣列，故可製作任意形狀的連續氧化結構。在乾式蝕刻方面，我們使用反應性離子蝕刻機( RIE，Reactive Ion Etch ) 對矽表面進行蝕刻以做圖形轉移。其蝕刻後的結構與原先設計之結構也有很好的相依性。最後，本篇論文中也利用程式模擬所製作的微透鏡焦距。未來，期望以此方法之特色能對半導體製程及機電發展有所助益。