以摻雜氮之鈦酸鋯氧化物及鋯鉿氧化物作為電荷儲存層實現低電壓操作快閃記憶體

Thesis

以摻雜氮之鈦酸鋯氧化物及鋯鉿氧化物作為電荷儲存層實現低電壓操作快閃記憶體

沈永紹

Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系

2015

Abstract

非揮發性記憶體

電荷儲存層

N2O氮化

高介電常數介電層

Orthorhombic ZrTiO4

HfZrO

Nonvolatile memory

Charge trapping layer

N2O nitridation

High-k dielectric

Orthorhombic ZrTiO4

HfZrO

因申請專利緣故，資料延後公開

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Title: 以摻雜氮之鈦酸鋯氧化物及鋯鉿氧化物作為電荷儲存層實現低電壓操作快閃記憶體
Translated title: 以摻雜氮之鈦酸鋯氧化物及鋯鉿氧化物作為電荷儲存層實現低電壓操作快閃記憶體
Creators: 沈永紹
Contributors: 巫勇賢 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 工程與系統科學系; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2016