Abstract
目 的：硒化鋅的直接能隙在室溫時為２．７電子伏特，這表示它是發藍光的二極體材料侯選材料。由於硒化鋅的晶塊難以拉出，而依文獻報告唯有以砷化鎵做為基底成長硒化鋅，最有成功希望。因此，我們在這個研究中以低溫製程的有機金屬化學氣相沈積法研製砷化鎵上成長出的硒化鋅磊晶層及其介面的各種特性。研究方法：一、以Ｘ－光繞射法來決定晶向，並以歐傑能□分析儀及ＥＤＡＸ來決定其組成比。由ＳＥＨ來測量其厚度，以說明磊晶層的物理特性。二、由Ｉ－Ｖ，Ｃ－Ｖ及光學激發光□，拉曼散射光□及深層缺陷能階暫態分析儀來分析其介面特性。研究結果：一、Ｘ光繞射光□表示在（１００）的砷化鎵上已成功的長出（１００）的硒化鋅，而ＡＥＳ及ＥＤＡＸ也已證明其組成比在各種成長溫度是固定的，並且鎵原子有擴散進入硒化鋅的現象。二、硒化鋅磊晶層由光學激發光□顯示有一近似能隙的放射能線，因此表示在室溫下硒化鋅磊晶層可發出藍光。三、拉曼光□顯示有２０２ｃｍ□□的橫向光子存在，這表示价面上有不均勻的張力所致，這可能是由於鎵原子進入晒化鋅之故，或者是介面之間的晶格差所造成。四、由Ｉ－Ｖ測量表示載子的傳輸在介面上是經由多步透納或是複合一產生的步驟。五、由霍耳測量，明顯的表示在４２０℃成長的磊晶層其阻值最低，而相同的其光學激發光□分析也顯示在４２０℃的發光效率最強。因此，在４２０℃成長的磊晶層其缺陷最小應是無庸置疑的。六、由ＤＬＴＳ的量測表示有一陷阱Ｅｃ－０．３ｅｖ的來源可能是由於硒化鋅及砷化鎵之間的內部擴散或是晶皮差距有關。七、在本研究中要成長出良質的負型硒化鋅及Ｅ型砷化鎵異質接面，其最佳成長狀況是；ＤＥＺ流量每分鐘６．４×１０□□莫耳而Ｈ Ｓｅ流量為每分鐘５．３×１０□□莫耳，成長溫度為４２０℃，反應壓力約為２０?３０ｔｏｒｒ。