Abstract
低壓有機金屬氣相磊晶法被用來成長硒化鋅在砷化鎵上以便能研製出藍色發光二極體。很亮的硒化鋅磊晶層已經可以完全的被製作出來了。在磊晶層的製作過程中，我們發現成長溫度在350℃及380℃之間，成長速度與成長溫度沒有關係，其是由物質傳遞機構所控制，而且與二乙基鋅〔（C2H5）2Zn 〕呈線性關係。我們發現載送的氫氣及二乙基鋅至基片間的距離是成長動力學的兩個主要參數。由X光繞射分析得到（400）反射的硒化鋅層。組成比與成長狀況的關係由歐傑電子分析來決定。污染的雜質如鎵、硫、矽、氯及銅存在於硒化鋅中由X 光螢光分析所偵測到。由銅所引起的電洞缺陷位於砷化鎵那一邊而在硒化鋅及砷化鎵介面附近其能位為Ev＋0.54ev被深缺陷分析儀所決定。載子濃度降低若降低二乙基鋅之含量，主要歸因於鋅空位所引起的自行補償效應而影響其電性。硒化鋅及砷化鎵異質接面（heterojunction）之載子傳遞機構是基於擴散模式及放射模式所解釋，同時發現二極體所發射出來的光是由邊放射從異質接面的附近。